Ядро RV620 LE
Техпроцесс (мкм) 0.055
Транзисторов (млн) 181
Частота работы ядра 600
Частота работы памяти (DDR) 500 (1000)
Шина и тип памяти DDR2 64-bit
ПСП (Гб/с) 8.00
Унифицированные шейдерные блоки 40
Частота унифицированных шейдерных блоков 600
TMU на конвейер 4
Shaders Model 4.1
Fill Rate (Mpix/s) 2400
Fill Rate (Mtex/s) 2400
DirectX 10.1
Объем памяти 256